量子応用工学研究室

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役職 氏名 E-mail & Tel
(○○○○@mach.mie-u.ac.jp)		 研究テーマ (Keyword)
教授 鈴木　泰之(Yasuyuki Suzuki) yasuyuki
准教授 小竹　茂夫 (Shigeo Kotake) kotake
Tel:059-231-9362
助教 河村　貴宏 (Takahiro Kawamura)
tkawamura
Tel:059-231-9364
技術職員 小林　嘉 kobayasi


Student (2012年度) (メールアドレスは学籍番号@m.mie-u.ac.jp)
学年 学籍番号 氏名 研究テーマ
D3 410DB02 YOOYEN SOEMSAK パルス化直流プラズマCVD法により鉄表面に作成したCNT状カーボンロッドの研究
M2 411M115 岡村　俊之 分子動力学法によるInGaN混晶の熱伝導率解析
M2 411M122 小屋　大輔 チタン板のホウ酸水素還元とプラズマ窒化によるTiBNの生成
M2 411M139 西川　直輝
M2 411M143 速水　義之 分子動力学法によるSiC結晶の結晶成長機構及び物性解析
M2 411M151 松本　佑太 ホウ化表面処理を用いたc-BN薄膜の生成と摩擦特性評価
M2 411M152 三木　貴文 Ga過剰条件下におけるGaNのMBE成長シミュレーション
M2 411M161 八木　一憲 波動アルゴリズムに基づいて設計されたAFMカンチレバーの挙動解析
M1 412M102 井口　綾佑 (仮) MD カーボン系ナノ構造
M1 412M124 榊原　優理 (仮) プラズマCVD
M1 412M138 林　寛哉 (仮) MD GaN MBE成長
M1 412M154 山田　圭吾 (仮) 波動アルゴリズム
B4 408109 今尾　享史 パルス化直流プラズマ法を用いた炭素鋼の耐摩耗性を目指したホウ化処理の基礎研究
B4 408172 前平　直樹 (仮) MD Ti
B4 409101 雨川　将大 分子動力学法を用いたGaN結晶成長シミュレーションにおけるポテンシャル関数の影響
B4 409102 安藤　良将 分子動力学法によるSiC結晶中の点欠陥の拡散挙動解析
B4 409112 江口　栄治 パルス化直流プラズマ法によるホウ化チタン生成に対するアルゴンガスの効果の検証
B4 409138 杉野　剛大 p-DCプラズマ法による窒化処理を施した鉄系材料への窒化ホウ素成膜と評価
B4 409151 鳥居　厚志 パルス化直流プラズマを用いたアルミ鋳造合金へのDLCコーティングによる耐久性の向上
B4 409154 中村　将典 分子動力学法によるAlの応力分布解析
B4 410177 山本　大介 p-DCプラズマを利用したSUS304への窒化ホウ素膜生成と基板の窒化前処理時間による影響
B4 409174 水谷　充利 らせん転位を含む4H-SiC結晶中の応力分布解析

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